lovephoto 2012-4-6 16:28
高达80MB/s读取速度 三星正式量产超高速UHS-1 TF储存卡[1P]
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据国外媒体消息，日前，韩国三星公司推出了新款MicroSD/TF储存卡UHS-1(Ultra High Speed–1)，主要针对支持LTE网络的智能手机和平板线优化，力求提供超强超高速的性能。
据三星介绍，新UHS-1 microSD储存卡只有16GB一种容量大小，而且这款小卡采用了三星Toggle DDR 2.0标准的20纳米级工艺制造，闪存芯片的读写带宽提升至400Mbps，单颗粒容量为class 64Gb（8GB），配备三星高级控制器，支持速度极快的UHS-1接口。
主要性能方面，三星新16GB UHS-1 microSD卡连续读取速度高达80MB/s，与当前最快microSD卡的21MB/s相比，其速度整整快了四倍，速度为同类产品之最。有利于智能手机或平板电脑上享受到更快速的的照片、全高清视频、高清游戏和应用程序的效能体验。
三星还证实，超高速 Ultra High Speed–1 (UHS-1) microSD 卡上个月底已经开始生产，而目前开始进入了大规模生产过程，预计将于年底铺货，并且未来还会提供更多更大容量的款式。预计其价格将不会低于目前市面上高端存储卡的售价。
lili809181 2012-4-7 08:03
读取的速度这么高，对于读写器是否有相应的要求呢？
cvbjkling 2012-4-7 09:53
80MB/s的读取速度，虽然很让人欣喜，但是一定还需要其他硬件或者系统的支持才能实现，实际上，存储卡存储数据的安全性比自身的读取速度更重要一些，个人意见哈。
z30 2012-4-7 11:19
高速带来的是高发热，现在虽然某些USB3.0的闪存在持续读写速度上已经可以和主流SSD媲美，但是4KB IOPS（虽然这个指标对系统盘更重要一些）还是差距比较大，而且高性能的主控发热必然比较高，镁光的M4都已经开始用两颗ARM9做主控芯片了。
实际上对于SSD来说，真正把NAND颗粒的写入寿命用完导致损坏的真的是寥寥无几，以25nm制程MLC颗粒举例，一般都有3000次 P/E，如果是128GB的SSD的话，这意味着要写入375TB的数据量才会把NAND颗粒本身的寿命用光，作为系统盘来说这几乎是不可能的，除非用多个SSD组阵列用作非线性编辑这类大读写量的操作还有可能，对一般用户来说，SSD损坏一般都是主控先挂掉。
不过这些都是说的主流SSD和中高端闪存，对于低端闪存来说，可能用的就是TLC和QLC了，TLC的P/E大概是500次，而QLC更急剧减少到50～100次P/E，这个都和DVD-RW差不多了，即便是低端闪存也难以接受，谁也不想读写个几十上百次闪存就坏掉啊。虽说随着制程进步，NAND颗粒的P/E次数肯定是会越来越少的，不过QLC这种东西还是少碰的好，可惜对一般用户来说缺乏分辨的技巧，也就只能看看售价了，别买那种容量大价格还特别便宜的。量产工具之类的软件对爱好者来说也不是人人会用的。
kickass 2012-4-7 13:02
能不能告诉我这玩意具体多少钱。我真想，买一块，等上市
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